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H11G2TVM相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • H11G2TVM

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：new
  • 描述：OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：咨询确认

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离4170Vrms
  • 电流传输比（最小值）1000% @ 10mA
  • 电流传输比（最大值）-
  • 打开 / 关闭时间（典型值）5µs，100µs
  • 上升/下降时间（典型值）-
  • 输入类型DC
  • 输出类型有基极的达林顿晶体管
  • 电压 - 输出（最大值）80V
  • 电流 - 输出/通道-
  • 电压 - 正向（Vf）（典型值）1.3V
  • 电流 - DC 正向（If）60mA
  • Vce 饱和值（最大值）1V
  • 工作温度-40°C ~ 100°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳6-DIP（0.400"，10.16mm）
  • 供应商器件封装6-DIP

其它信息

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