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FDMS3660S相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDMS3660S

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：new
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：咨询确认

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列PowerTrench®
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A，60A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）8 毫欧 @ 13A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.7V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1765pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装Power56

其它信息

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