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NVMYS2D2N06CLTWG相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVMYS2D2N06CLTWG

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：new
  • 描述：TRENCH 6 40V SL NFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：咨询确认

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列汽车级，AEC-Q101
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）31A（Ta），185A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.9 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 180µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）69nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4850pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.9W（Ta），134W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK4（5x6）
  • 封装/外壳SOT-1023，4-LFPAK

其它信息

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